SFB100A3半導(dǎo)體四探針電阻率測(cè)量?jī)x_薄膜方阻測(cè)試儀功能簡(jiǎn)介：
由于金屬塊體材料的電阻和金屬薄膜的電阻很低，他們的測(cè)量采用四端接線法。為了滿足實(shí)際的需要，本儀器采用四探針法原理來實(shí)現(xiàn)對(duì)不同金屬、半導(dǎo)體、導(dǎo)電高分子材料的電阻及電阻率的測(cè)量。可用于高校物理教育實(shí)驗(yàn)，對(duì)導(dǎo)體/半導(dǎo)體/金屬薄膜材料的電阻 及電阻率的測(cè)試及研究。
半導(dǎo)體四探針電阻率測(cè)量?jī)x的電阻測(cè)量范圍可達(dá)10^-5—10⁵Ω。
半導(dǎo)體四探針電阻率測(cè)量?jī)x是由電壓電流源以及四探針樣品平臺(tái)二臺(tái)儀器構(gòu)成。
直流電壓電流源。
薄膜方阻測(cè)試儀參數(shù)：
直流電流源
電流輸出范圍：1nA~200mA，輸出電壓不小于5V；
量     程：分五檔，20μA、200μA、2mA、20mA、200mA；
電流輸出的基本誤差：0.03%RD±0.02%FS（20±2℃）；其中50~200mA為0.05%RD±0.02%FS。
直流電壓源
電壓輸出范圍：5μV~50V，負(fù)載電流不小于10mA（20mV以上）；
量       程：分五檔，20mV、200mV、2V、20V、50V，每檔均有粗調(diào)和細(xì)調(diào)；
電壓輸出的基本誤差：0.05%RD±0.02%FS（20±2℃）。
數(shù)字電壓表：（4?LED）利用電壓源部分“取樣”端可對(duì)被測(cè)電壓進(jìn)行測(cè)試
測(cè)量量程：20mV，200mV，2V，20V，200V
高分辨力： 可達(dá)1μV
基本誤差為： 0.03%RD±0.02%FS   （20±2oC）
四探針樣品平臺(tái)
為被測(cè)薄膜樣品，利用四探針測(cè)量方式測(cè)量導(dǎo)體/半導(dǎo)體樣品的電阻和電阻率，提供了方便。