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方阻測試儀
發(fā)布時間:2023-02-14瀏覽次數(shù):947返回列表
1、,半導(dǎo)體材料電阻率的,及,標(biāo)準(zhǔn)測試方法。
2、測量厚度大于4倍探針間距的硅晶體,也可測量薄硅片電阻率及方阻。
3、電阻率測量范圍復(fù)蓋,常用的區(qū)段:0.01—199.9Ω·cm 。
方塊電阻測量范圍復(fù)蓋,常用的區(qū)段:0.1—1999Ω/□。
4、配置恒流源,測量電流穩(wěn)定,分兩檔:1mA、10mA,每檔在大范圍內(nèi)調(diào)節(jié)(1mA:0.1—1mA;10mA:1mA—10mA)。
5、測量精度高:電器測量精度優(yōu)于0.3%;
整機(jī)測量誤差:測量1-100Ω·cm的標(biāo)準(zhǔn)硅片誤差≤±3%。
測量大于100Ω·cm和小于1Ω·cm的標(biāo)準(zhǔn)硅片誤差≤±5%。
6、重量輕,約2.5kg;體積小:240×210×100(mm)。
7、可配用多種探針間距的四探針頭:1.00mm、1.59mm。