產(chǎn)品簡(jiǎn)介
技術(shù)要求典型數(shù)值在27C氧化層厚度1000A輻射Vth靈敏度輻射場(chǎng) = 0.125 MV/cm : 靈敏度 = 0.09mV/rad 輻射場(chǎng)= 0 MV/cm : 靈敏度= 0.
公司簡(jiǎn)介
北京華恒鑫達(dá)科技發(fā)展有限公司是一家專(zhuān)業(yè)從事引進(jìn)國(guó)外核物理和高能物理研究以及核工業(yè)和核監(jiān)測(cè)領(lǐng)域所需元器件和設(shè)備的公司。
器件產(chǎn)品:塑料閃爍體、液體閃爍體及附件產(chǎn)品、有機(jī)、無(wú)機(jī)晶體及晶體粉末、光電倍增管(PMT)、硅微條探測(cè)器、微通道板(MCP及APD)、飛行時(shí)間探測(cè)器(TOF)、電子發(fā)生器(EGA)、電子倍增器(CEM)、像增強(qiáng)器(IIT)、中子和伽馬探測(cè)器(NGD)、氣體探測(cè)器、He3管、BF3探測(cè)器、硅光電倍增管、硅PIN探測(cè)器、硅漂移探測(cè)器、電荷靈敏前置放大器、硅條/中子探測(cè)器的前置放大器等;高純鍺(HPGe)探測(cè)器、硅鋰(SiLi)探測(cè)器、碲鋅鎘(GdZnTe)探測(cè)器、多道分析器、核電子學(xué)機(jī)箱和插件等一系列核物理領(lǐng)域研究和生產(chǎn)相關(guān)的產(chǎn)品。
設(shè)備產(chǎn)品:環(huán)境輻射監(jiān)測(cè)系統(tǒng)(RMS),環(huán)境γ劑量率與氣溶膠監(jiān)測(cè)儀,實(shí)驗(yàn)室高純鍺γ譜儀,低本底α β測(cè)量?jī)x及表面污染測(cè)量?jī)x、熱釋光劑量讀出系統(tǒng)與多種移動(dòng)物體放射性安檢設(shè)備;各類(lèi)便攜與事故應(yīng)急多探頭劑量率與核素識(shí)別儀、高純鍺γ譜儀、巡檢儀和個(gè)人劑量報(bào)警儀等。
展開(kāi)
產(chǎn)品說(shuō)明
技術(shù)要求
典型數(shù)值在27°C
氧化層厚度1000A
輻射Vth靈敏度
輻射場(chǎng) = 0.125 MV/cm : 靈敏度 = 0.09mV/rad
輻射場(chǎng)= 0 MV/cm : 靈敏度= 0.014mV/rad
(靈敏度在 30 krad(H2O),在以下讀寫(xiě)器的配置中使用一個(gè)恒量10µA)
溫度補(bǔ)償
TVTC 2.5mV/°C
(該數(shù)據(jù)出自溫度27°C-100°C線性模式中的外推Vtp數(shù)值)
線性模式中Z.T.C. 數(shù)值 ~ 3µA
(Vs=Vb=0, Vds=-0.1)
飽和模式中Z.T.C.數(shù)值 ~ 30µA
(使用以下讀寫(xiě)器電路配置)
預(yù)輻射劑量計(jì)的特點(diǎn)
閾值電壓(外推)-2.15 +/- 0.1V
Vth漂移時(shí)間(秒)2.2mV/十年
(該數(shù)據(jù)出自讀寫(xiě)器配置強(qiáng)迫40µA.)
氧化層擊穿電壓 ~ 75V
溝道漏電流Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 10 pA
亞閾值斜率100 +/- 20 mV/十年
溝道電阻Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 0.3 Mohms
北京華恒鑫達(dá)科技發(fā)展有限公司還提供深水高純鍺譜儀、蓄水池全自動(dòng)水樣核素活度監(jiān)測(cè)系統(tǒng)、同軸高純鍺探測(cè)器GCD系列(液氮致冷)、平面型高純鍺探測(cè)器GPD系列(液氮致冷)、便攜式高純鍺γ射線譜儀、手持式高純鍺探測(cè)器、自帶鉛室高純鍺譜儀、液體和氣體流量核素分析的屏蔽高純鍺譜儀、移動(dòng)式高純鍺譜儀(現(xiàn)場(chǎng)使用)、X γ射線高純鍺譜儀(電致冷)、流動(dòng)式高純鍺譜儀、CdZn TeCdTe探測(cè)器和相關(guān)電子附件等相關(guān)產(chǎn)品。
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