EN-ZXSM 廠家直供正向壽命試驗(yàn)臺(tái)

緣柵雙型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱IGBT）作為功率開關(guān)器件，具有載流密度大、飽和壓降低等許多優(yōu)點(diǎn)，但是由于其長(zhǎng)期工作在高電壓、大電流、高頻開關(guān)狀態(tài)等且運(yùn)行環(huán)境復(fù)雜，IGBT功耗和結(jié)溫頻繁波動(dòng)容易造成器件疲勞老化。目前外溫度循環(huán)引起的器件失效機(jī)理已進(jìn)行了深入研究，在此基礎(chǔ)上正積

西安易恩電氣坐落于西安渭北工業(yè)裝備區(qū)，是陜西省政府重點(diǎn)支持的高新技術(shù)企業(yè)。公司專注于研發(fā)、生產(chǎn)和銷售半導(dǎo)體封裝、測(cè)試設(shè)備。現(xiàn)已成為國(guó)內(nèi)電力電子行業(yè)知名的測(cè)試方案供應(yīng)商。公司以自主研發(fā)生產(chǎn)的“軌道機(jī)車半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)”系列產(chǎn)品為主導(dǎo)，在此基礎(chǔ)上相繼推出全自動(dòng)IGBT參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)、功率器件圖示系統(tǒng)、集成電路測(cè)試系統(tǒng)等系列產(chǎn)品。廣泛應(yīng)用于科研院所、能源、電力電子、交通、船舶制造、軍工、高校等諸多領(lǐng)域。
完善的基礎(chǔ)設(shè)施和人才隊(duì)伍一直是企業(yè)強(qiáng)化建設(shè)的重點(diǎn)。公司設(shè)有測(cè)試實(shí)驗(yàn)室，調(diào)試中心，產(chǎn)品研發(fā)中心，服務(wù)團(tuán)隊(duì)等多個(gè)技研服務(wù)部門，以滿足不同客戶對(duì)測(cè)試解決方案的多層次需求。公司研發(fā)人員占總?cè)藬?shù)的40%，碩士學(xué)歷以上人員占75%，專業(yè)技術(shù)人員占比超過(guò)66%，成員大多來(lái)自航天、航空、半導(dǎo)體及微電子相關(guān)研究院所及電力電子行業(yè)內(nèi)的資深人士。公司通過(guò)了質(zhì)量體系ISO9000認(rèn)證及陜西省軟件企業(yè)認(rèn)定，承擔(dān)國(guó)家科技部創(chuàng)新基金項(xiàng)目等，目前獲得發(fā)明4項(xiàng)，實(shí)用新型15項(xiàng)，軟件著作權(quán)3項(xiàng)。

廠家直供正向壽命試驗(yàn)臺(tái)

系統(tǒng)概述

     緣柵雙型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱IGBT）作為功率開關(guān)器件，具有載流密度大、飽和壓降低等

許多優(yōu)點(diǎn)，

     但是由于其長(zhǎng)期工作在高電壓、大電流、高頻開關(guān)狀態(tài)等且運(yùn)行環(huán)境復(fù)雜，IGBT功耗和結(jié)溫頻繁波動(dòng)容易造成器件疲勞老化。目前外溫度循環(huán)引起的器件失效機(jī)理已進(jìn)行了深入研究，在此基礎(chǔ)上正積發(fā)展功率模塊壽命預(yù)測(cè)技術(shù)以提高變流器運(yùn)行可靠性。

技術(shù)指標(biāo)

測(cè)試參數(shù) VF	0.01～20V 0.01～10V±3%±0.01V 10～20V±3%±0.1V
測(cè)試條件	正向電流：1mA～60A  直流方波
脈寬	50uS-1mS
工位	20只
測(cè)試方法	器件在特定溫度下存儲(chǔ)一定時(shí)間后，在設(shè)定電流后 按規(guī)定施加條件對(duì)被試器件依次進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試間 隔時(shí)間約100mS

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