5SHX2645L0004控制板

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ABB可控硅模塊5SHX2645L0004 3BHL000389P0104控制器

IGCT是GCT(門極換流晶閘管)和集成門極驅(qū)動(dòng)電路的合稱，其具有GTO高阻斷能力和低通態(tài)壓降，以及和IGBT相同的開(kāi)關(guān)性能，是一種較理想的兆瓦級(jí)、中壓開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于大功率中壓變流器?；竟ぷ髟砣缦拢?

當(dāng)IGCT工作在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，是一個(gè)像晶閘管一樣的正反饋開(kāi)關(guān)，其特點(diǎn)是攜帶電流能力強(qiáng)和通態(tài)壓降低。在關(guān)斷狀態(tài)下，IGCT門--陰極間的pn結(jié)提前進(jìn)入反向偏置，并有效地退出工作，整個(gè)器件呈晶體管方式工作，該器件在這兩種狀態(tài)下的等效電路圖，IGCT關(guān)斷時(shí)，通過(guò)打開(kāi)一個(gè)與陰極串聯(lián)的開(kāi)關(guān)(通常是MOSFET)，使P基極n發(fā)射極反偏，從而迅速阻止陰極注入，將整體的陽(yáng)極電流強(qiáng)制轉(zhuǎn)化成門極電流(通常在ls內(nèi))，這樣便把GTO轉(zhuǎn)化成為一個(gè)無(wú)接觸基區(qū)的PNP晶體管，消除了陰極發(fā)射極子收縮效應(yīng)。這樣，它的最大關(guān)斷電流比傳統(tǒng)GTO的額定電流高出許多。由于IGCT在增益接近1時(shí)關(guān)斷，因此，保護(hù)性的吸收電路可以省去。